Перегляд за автором "Лазарев, Б.Г."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Лазарев, Б.Г.; Ксенофонтов, В.А.; Михайловский, И.М.; Великодная, О.А. (Физика низких температур, 1998)
    Излагаются pезультаты pазpаботки высокоpазpешающего метода полевой эмиссионной микpоскопии и его пpименения для количественного анализа локального химического состава свеpхпpоводящих сплавов Nb - Ti. В пpедыдущих исследованиях ...
  • Лазарев, Б.Г.; Стародубов, Я.Д.; Лазарева, М.Б.; Чиркина, Л.А.; Оковит, В.С.; Сергеева, Г.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2003)
    Для двухфазной Bi-керамики (2212 и 2223) изучена температурная зависимость динамического модуля сдвига G(T) при воздействии магнитного поля 1,5 Э ≤ H ≤ 235 Э в интервале 65…210 К. Результаты свидетельствуют о стабильных ...
  • Лазарев, Б.Г.; Стародубов, Я.Д.; Сергеева, Г.Г.; Лазарева, М.Б.; Чиркина, Л.А.; Оковит, В.С.; Чечкин, А.В.; Петренко, В.Т.; Тихоновский, М.А. (Физика низких температур, 1996)
    Проведены измерении низкочастотного (0,8 Гц) внутреннего трения висмутовой керамики в температурном интервале 4,2-130 К. Установлено, что изменения в системе свободных носителей заряда в ВТСП при Т < Тс приводят к изменению ...
  • Лазарев, Б.Г.; Стародубов, Я.Д.; Сергеева, Г.Г.; Лазарева, М.Б.; Чиркина, Л.А.; Оковит, В.С.; Карасева, Е.В.; Фролов, В.А.; Чечкин, А.В.; Петренко, В.Т.; Тихоновский, М.А. (Физика низких температур, 1996)
    Для двухфазной висмутовой керамики изучены скорость ползучести, особенности спектра внутреннего трения и сопротивления планарного контакта. Смещение пика в температурной зависимости скорости ползучести и особенностей ...
  • Кузьменко, В.М.; Лазарев, Б.Г. (Физика низких температур, 2001)
    Исследована релаксация электросопротивления в аморфных пленках Bi, Yb, Be, Mn при низких температурах. Показано, что этот процесс при изотермической выдержке является, как правило, простым экспоненциальным ...
  • Лазарев, Б.Г.; Борц, Б.В.; Куценко, П.А.; Леденёв, О.П.; Роскошная, Е.Ю.; Соколенко, В.И. (Вопросы атомной науки и техники, 2009)
    Приведено описание усовершенствованной установки для получения длинномерной сверхпроводящей ленты на основе Nb₃Sn. Создание данной установки позволило изготовить ленту с рекордными значениями плотности критического тока в ...